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自主突圍 中國(guó)EUV光刻技術(shù)與光刻工廠的未來(lái)之路

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自主突圍 中國(guó)EUV光刻技術(shù)與光刻工廠的未來(lái)之路

自主突圍 中國(guó)EUV光刻技術(shù)與光刻工廠的未來(lái)之路

韓國(guó)媒體近來(lái)對(duì)中國(guó)在極紫外(EUV)光刻技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展持悲觀態(tài)度,認(rèn)為中國(guó)的核心技術(shù)仍落后于國(guó)際先進(jìn)水平。在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下,中國(guó)不僅投入巨額資源研發(fā)EUV光刻技術(shù),還探索“光刻工廠”這一聚合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的創(chuàng)新模式,力圖通過(guò)技術(shù)開(kāi)發(fā)和咨詢突破封鎖。這種自建策略將助力中國(guó)防范芯片系統(tǒng)被多個(gè)供應(yīng)商卡脖子的險(xiǎn)境,標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)正更堅(jiān)定地向源頭自主創(chuàng)新發(fā)進(jìn)新步,而不只是漸進(jìn)式追趕,從而為更安全的數(shù)字基石打下具體根基?

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更新時(shí)間:2026-06-19 11:35:53

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